GaAs HBT相关集成电路辐照特性研究

空间环境中的电子设备出现故障的原因70%归因于空间辐照。GaAsHBT器件具有较好的抗辐照特性，在国防航天等领域应用潜力巨大。目前针对GaAs HBT器件及电路的辐照研究大都集中在电学特性退化的描述上，而对于辐照机理方面，还未得到系统深入的研究。鉴于质子是空间辐照环境中主要的辐射粒子，并且质子辐照会对器件及电路特性造成严重影响，因此本项目将以GaAs HBT器件及相关集成电路的质子辐照效应作为研究对象。首先，采用SRIM软件指导器件的质子辐照实验，并结Sentaurus软件和NIEL理论，研究质子辐照损伤物理机制；其次，引入反映辐照效应的敏感因数，采用SDD技术建立考虑质子辐照效应的器件模型；最后，利用所建立的器件辐照模型，提出有效的抗辐照加固措施。可以预期，本项目的研究必将拓展GaAs HBT器件及相关集成电路辐照效应的研究深度及实际应用范围。