第三代半导体高性能功率模块

获得均匀的SiC同质异性外延厚度高于200μm；获得器件的击穿电压高于20 kV，载流子迁移率高于15 cm2/Vs，正向电流密度高于100 A/cm2。

研制出全碳化硅MOSFET模块，模块耐压达到1200V，电流达到200A，模块工作频率≥1MHz。

应用全碳化硅MOSFET模块研制出高频充电机，技术指标达到：输出电压400-700V，最大输出电流17A，开关频率128-225kHz。