半导体器件封装用银基键合合金线制备技术

键合引线联结硅片电极与引线框架外部引出端子，是集成电路封装的关键材料。该成果采用“竖引式真空连铸+连续大变形冷加工/固溶热处理+无滑动极细加工”方式制备银基极细键合合金线（线径≤0.020mm），通过该技术制备的银基键合合金线具有良好的力学性能、电学性能及可靠性，可替代键合金线应用于大功率LED、高密度/大规模集成电路封装中，降低微电子封装键合引线成本30%以上。该成果技术获得授权发明专利10余项，产品性能指标已通过相关测试，并完成国内知名企业验证，得到用户广泛认可。